BC856A_

更新时间： 2024-02-02 07:04:11

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TAITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	97K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC856A_ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC856A_ 数据手册

BC856 SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS CCUURRVVEESS

600

0.9

0.8

T_J=150^OC

500

T_J=25^OC

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

T_J=100^OC

400

T_J=100^OC

300

T_J=25^OC

200

T_J=15 ^OC

VCE = -5V

V_CE=-5V

100

0.1

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

CCoolllleeccttoorr CCuurrrreenntt,,II_C((mmAA))

CCoolllleeccttoorr CCuurrrreenntt,, II_C((mmAA))

Fig.2- TYPICAL V_BE(ON)vs. Collector Current

Fig.1- TYPICAL h_FEvs. Collector Current

0.3

0.25

0.2

CIB (EB)

(

)

T_J=100^OC

(

0.15

0.1

T_J=150^OC

COB (BC)

T_J=25^OC

0.05

0.01

0.1

100

0.1

100

CCoolllleeccttoorr CCuurrrreenntt,,II_C((mmAA))

Reverse Voltage,V_R(V)

Fig.4- TYPICAL CAPACITANCES vs. REVERSE VOLTAGE

Fig.3- TYPICAL V_CE(SAT)vs. Collector Current

PAGE . 3

STAD-JUL.11.2005

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