BC849CT/R

更新时间： 2024-02-15 03:27:52

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	107K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BC849CT/R 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC849CT/R 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

NPN general purpose transistors

BC849; BC850

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

UNIT

V_CBO

BC849

−

BC850

V_CEO

collector-emitter voltage

BC849

open base

−

BC850

V_EBO

I_C

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

open collector

100

200

250

+150

150

+150

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

T_amb≤ 25 °C; note 1

−65

−

°C

T_amb

−65

°C

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient note 1

500

K/W

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

2004 Jan 16

1 234 5 6 7 8

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与BC849CT/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC849CTA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BC849C-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC849C-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC849CTC	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BC849C-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO	获取价格
BC849C-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格