5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC849BLT1G
BC849BLT1G PDF预览

BC849BLT1G

更新时间： 2024-01-07 08:15:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 126K
描述
General Purpose Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC849BLT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.5Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC849BLT1G 数据手册

 浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC849BLT1G的Datasheet PDF文件第7页 
BC846ALT1G Series  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating − Human Body Model: >4000 V  
ESD Rating − Machine Model: >400 V  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
3
BC846  
65  
45  
30  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
1
2
Collector−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
80  
50  
30  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Emitter−Base Voltage  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
6.0  
6.0  
5.0  
MARKING DIAGRAM  
Collector Current − Continuous  
I
100  
mAdc  
C
XX M G  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
1
XX = Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
225  
mW  
D
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
q
556  
JA  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 12 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Total Device Dissipation  
P
300  
mW  
D
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
q
417  
JA  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 10  
BC846ALT1/D  
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

BC849BLT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC849BLT3G ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors
BC848BLT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors
BC848CLT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC849BLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC849BLT3 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC849BLT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC849BLT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
BC849BMTF FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC849BMTF ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3
BC849BMTF_11 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC849BR NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC849BR-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC849BR-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC849BS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

与BC849BLT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证