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BC847CT116 PDF预览

BC847CT116

更新时间： 2024-02-14 21:57:56
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 59K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

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BC847CT116 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.47Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：420JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

BC847CT116 数据手册

  
BC847B / BC847C  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
BC847B / BC847C  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) BVCEO < 45V (IC=1mA)  
2) Complements the BC857B.  
2.9 0.2  
+0.2  
−0.1  
0.95  
1.9 0.2  
0.45 0.1  
0.95 0.95  
!Package, marking, and Packaging specifications  
(2)  
(1)  
Part No.  
Packaging type  
Marking  
BC847B  
SST3  
G1F  
BC847C  
SST3  
G1G  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
Code  
T116  
T116  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
0.4  
−0.05  
All terminals have the same dimensions  
ROHM : SST3  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
45  
V
6
V
I
C
0.1  
A
0.2  
∗
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
C
W
0.35  
150  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
∗ When mounted on a 7×5×0.6mm ceramic board.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
50  
45  
6
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
V
E
=50µA  
−
−
−
−
15  
5
nA  
µA  
V
V
CB=30V  
CB=30V, Ta=150°C  
Collector cutoff current  
ICBO  
−
−
0.58  
200  
420  
−
−
−
−
−
−
200  
3
0.25  
0.6  
0.77  
450  
800  
−
I
I
C
/I  
/I  
B
=10mA/0.5mA  
=100mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
V
C
B
V
BE(on)  
V
−
−
MHz  
pF  
pF  
V
V
V
CE/I  
CE/I  
CE/I  
C=5V/10mA  
C=5V/2mA  
C=5V/2mA  
BC847B  
hFE  
BC847C  
Transition frequency  
f
T
V
V
V
CE=5V, I  
CB=−10V, I  
EB=0.5V, I  
E
=−20mA, f=100MHz  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Cob  
Cib  
−
−
−
−
E
=0, f=1MHz  
8
C=0, f=1MHz  
!Electrical characteristic curves  
The electrical characteristic curves for these products are the same as those of UMT222A, SST222A, MMST2222A and  
PN2222A.  
1/1  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847CT117 ROHM

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BC847CT-7 ETC

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