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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC847CTTR
BC847CTTR PDF预览

BC847CTTR

更新时间： 2024-09-27 13:00:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3

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BC847CTTR 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847CTTR 数据手册

 浏览型号BC847CTTR的Datasheet PDF文件第2页 
BC846 SERIES  
BC847 SERIES  
BC848 SERIES  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846, BC847  
and BC848 Series types are NPN Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for  
general purpose switching and amplifier applications.  
NPN SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE  
ON FOLLOWING PAGE  
Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to  
the end of the Part # and Marking Code.  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BC848  
30  
30  
BC847  
50  
45  
5.0  
100  
200  
200  
350  
BC846  
80  
65  
UNITS  
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
V
I
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
I
I
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
15  
5.0  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V, T =150°C  
=5.0V  
nA  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
A
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =10μA (BC848)  
30  
50  
80  
30  
45  
65  
5.0  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
C
I =10μA (BC847)  
C
I =10μA (BC846)  
C
I =10mA (BC848)  
C
I =10mA (BC847)  
C
I =10mA (BC846)  
CEO  
EBO  
C
I =10μA  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =0.5mA  
0.25  
0.60  
0.70  
0.77  
V
V
V
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
C
B
B
CE  
CE  
C
C
I =100mA, I =5.0mA  
C
I =2.0mA, V =5.0V  
0.58  
100  
C
I =10mA, V =5.0V  
C
f
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
T
CE  
CE  
NF  
V
=5.0V, I =200μA,  
R =2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz  
10  
dB  
S
BC846A  
BC847A  
BC848A  
BC846B  
BC847B  
BC848B  
BC847C  
BC848C  
MIN MAX  
110 220  
MIN MAX  
MIN  
420  
MAX  
800  
h
V
=5.0V, I =2.0mA  
200  
450  
FE  
CE  
C
R1 (20-November 2009)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847CW DIOTEC

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 		Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC847CW CENTRAL

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BC847CW DIODES

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 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847CW NEXPERIA

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 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction
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 		NPN General Purpose Transistors
BC847CW WINNERJOIN

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 		TRANSISTOR (NPN)
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 		Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).Collector-base voltage VCBO 80 50 30 V

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