Datasheet > BC847BW

BC847BW

更新时间： 2024-01-13 21:29:06

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	228K
描述
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC847BW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	255	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847BW 数据手册

Nexperia

BC847xW series

45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

10. Characteristics

Table 8. Characteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

collector-base

I_C= 100 µA; I_E= 0 A

breakdown voltage

V_(BR)CES

V_(BR)EBO

I_CBO

collector-emitter

breakdown voltage

I_C= 2 mA; V_BE= 0 A

I_C= 0 A; I_E= 100 µA

emitter-base

breakdown voltage

collector-base

cut-off current

V_CB= 30 V; I_E= 0 A

μA

V_CB= 30 V; I_E= 0 A; T_j= 150 °C

V_EB= 5 V; I_C= 0 A

I_EBO

h_FE

emitter-base

cut-off current

100

DC current gain

BC847AW

BC847BW

BC847CW

BC847W

170

280

420

V_CE= 5 V; I_C= 10 μA

110

200

420

800

220

450

800

200

400

BC847AW

BC847BW

BC847CW

180

290

520

200

700

900

660

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA

V_CEsat

V_BEsat

V_BE

collector-emitter

saturation voltage

I_C= 10 mA; I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA; I_B= 5 mA

MHz

[1] -

base-emitter saturation I_C= 10 mA; I_B= 0.5 mA

voltage

[2] -

I_C= 100 mA; I_B= 5 mA

[2] -

base-emitter voltage

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA

[2] 580

700

770

V_CE= 5 V; I_C= 10 mA

f_T

transition frequency

collector capacitance

emitter capacitance

noise figure

V_CE= 5 V; I_C= 10 mA; f = 100 MHz

V_CB= 10 V; I_E= i_e= 0 A; f = 1 MHz

V_EB= 0.5 V; I_C= i_c= 0 A; f = 1 MHz

100

C_c

C_e

1.5

I_C= 200 μA; V_CE= 5 V; R_S= 2 kΩ;

f = 1 kHz; B = 200Hz

[1] pulsed; t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

[2] V_BEdecreases by approximately 2 mV/K with increasing temperature

BC847XW_SER

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

Rev. 13 — 1 July 2022

4 / 12

1 2 345 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与BC847BW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847BW,115	NXP	获取价格	BC847 series - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin
BC847BW,135	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
BC847BW/DG	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847BW/DG,115	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors; Package: SOT323 (SC-70); Container: Tape ree
BC847BW115	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847BW-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC847BW-13-F	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847BW-7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-323
BC847BW-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847BW-AU	PANJIT	获取价格	SOT-323

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847BW

BC847BW 技术参数

BC847BW 数据手册

与BC847BW相关器件

与BC847BW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847BW

BC847BW 技术参数

BC847BW 数据手册

与BC847BW相关器件

与BC847BW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？