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BC69PA

更新时间： 2024-11-18 12:56:15

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
24页	266K
描述
20 V, 2 A PNP medium power transistors

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BC69PA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, HUSON-3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	S-PDSO-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz

BC69PA 数据手册

BCP69; BC869; BC69PA

20 V, 2 A PNP medium power transistors

Rev. 7 — 12 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

Table 1. Product overview

Type number^[1]

Package

NXP

NPN complement

JEITA

SC-73

SC-62

JEDEC

BCP69

BC869

BC69PA

SOT223

SOT89

SOT1061

BCP68

BC868

BC68PA

TO-243

[1] Valid for all available selection groups.

1.2 Features and benefits

 High current

 Three current gain selections

 High power dissipation capability

 Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)

 Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)

 AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

 Linear voltage regulators

 Power management

 MOSFET drivers

 Amplifiers

 High-side switches

 Battery-driven devices

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

20

2

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse; t_p 1 ms

3

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BC69PAS	NEXPERIA	获取价格	20 V, 2 A PNP medium power transistorsProduction
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