BC639RLRF

更新时间： 2024-01-22 21:40:55

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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BC639RLRF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.3	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

BC639RLRF 数据手册

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by BC635/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

635

637

639

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

Adc

CASE 29–04, STYLE 14

TO–92 (TO–226AA)

CEO

CBO

EBO

5.0

0.5

Collector Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watt

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 10 mAdc, I = 0)

BC635

BC637

BC639

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µAdc, I = 0)

(BR)CBO

BC635

BC637

BC639

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

5.0

—

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 30 Vdc, I = 0)

—

100

nAdc

µAdc

= 30 Vdc, I = 0, T = 125°C)

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle 2.0%.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4

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