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BC638 PDF预览

BC638

更新时间： 2024-11-13 08:49:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 355K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistors

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BC638 数据手册

 浏览型号BC638的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
BC636-10  
BC636-16  
BC638  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BC640  
Features  
·
·
·
Through Hole Package  
PNP Epitaxial  
Silicon Transistors  
Capable of 830mWatts of Power Dissipation  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
Symbol  
Rating  
Value  
-45  
-60  
-100  
-45  
Unit  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
BC636  
BC638  
BC640  
BC636  
BC638  
BC640  
VCEO  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
B
-60  
-80  
V
V
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5.0  
-1.0  
V
A
IB  
TJ  
Base Current  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-100  
-65 to +150  
-65 to +150  
mA  
℃
℃
TSTG  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc,IB=0)  
BC636  
BC638  
BC640  
-45  
-60  
-80  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CEO  
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
D
μAdc  
μAdc  
---  
---  
40  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
---  
hFE(1)  
(VCE=-2Vdc, IC=-5mAdc)  
DC Current Gain  
(VCE=-2Vdc, IC=-150mAdc) BC636-10  
16,BC638,BC640  
DC Current Gain  
(VCE=-2Vdc, IC=-500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc,IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-500mAdc, VCE=-2Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=-5.0Vdc, IC=-50mAdc, f=100MHz)  
63  
100  
160  
250  
E
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
C
B
BC636-  
G
25  
---  
DIMENSIONS  
---  
---  
---  
-0.5  
-1.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
---  
100  
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 1  
2011/01/01  
12

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BC638 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC638-BP MCC

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO

与BC638相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC638,112 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC638,116 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC638/D10Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D11Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D26Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D27Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D28Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D29Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D74Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D75Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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