5秒后页面跳转
BC638AMO PDF预览

BC638AMO

更新时间: 2024-11-13 21:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

BC638AMO 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.14Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BC638AMO 数据手册

 浏览型号BC638AMO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC638AMO的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC638AMO的Datasheet PDF文件第4页 

与BC638AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC638-AP MCC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO
BC638-AP-HF MCC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,
BC638-BP MCC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO
BC638-BP-HF MCC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,
BC638BU FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO
BC638D26Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638D27Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638D74Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638D75Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638-HAF SWST

获取价格

小信号晶体管