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BC618G

更新时间： 2024-11-24 03:21:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 71K
描述
Darlington Transistors NPN Silicon

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BC618G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, TO-226, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.25Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：55 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：4000
JEDEC-95代码：TO-226AAJESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BC618G 数据手册

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BC618  
Darlington Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR 1  
MAXIMUM RATINGS  
BASE  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
55  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
80  
12  
Vdc  
Vdc  
Adc  
EMITTER 3  
Collector Current − Continuous  
I
1.0  
C
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
Derate above T = 25°C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.5  
12  
W
mW/°C  
A
D
Derate above T = 25°C  
A
TO−92  
CASE 29  
STYLE 17  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1
2
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
JC  
R
q
83.3  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
BC  
618  
AYWW G  
G
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
BC618  
Package  
Shipping  
TO−92  
5000 Units / Bulk  
5000 Units / Bulk  
BC618G  
TO−92  
(Pb−Free)  
BC618RL1  
TO−92  
2000 / Tape & Reel  
2000 / Tape & Reel  
BC618RL1G  
TO−92  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 3  
BC618/D  
123456

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BC618G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Darlington Transistors NPN Silicon
BC618RLRA MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC618RLRA ONSEMI

获取价格

 		1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
BC618RLRB MOTOROLA

获取价格

 		1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC618RLRE ONSEMI

获取价格

 		1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
BC618RLRF MOTOROLA

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 		1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC618RLRM MOTOROLA

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 		暂无描述

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