BC618G

更新时间： 2024-09-26 03:21:27

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管放大器
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6页	71K
描述
Darlington Transistors NPN Silicon

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BC618G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, TO-226, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC618G 数据手册

BC618

Darlington Transistors

NPN Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available*

http://onsemi.com

COLLECTOR 1

MAXIMUM RATINGS

BASE

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector−Emitter Voltage

Vdc

CEO

CBO

EBO

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Vdc

Adc

EMITTER 3

Collector Current − Continuous

1.0

Total Power Dissipation @ T = 25°C

625

5.0

mW/°C

Derate above T = 25°C

Total Power Dissipation @ T = 25°C

1.5

mW/°C

Derate above T = 25°C

TO−92

CASE 29

STYLE 17

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

MARKING DIAGRAM

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Thermal Resistance, Junction−to−Case

83.3

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

618

AYWW G

= Assembly Location

= Year

WW = Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

†

Device

BC618

Package

Shipping

TO−92

5000 Units / Bulk

BC618G

TO−92

(Pb−Free)

BC618RL1

TO−92

2000 / Tape & Reel

BC618RL1G

TO−92

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

January, 2006 − Rev. 3

BC618/D

12 3 4 5 6

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BC618G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KSP55TA	ONSEMI	类似代替	PNP外延硅晶体管
KSP06TA	ONSEMI	类似代替	NPN外延硅晶体管
KSP05TA	ONSEMI	类似代替	NPN外延硅晶体管

与BC618G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC618RL	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
BC618RL1	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors NPN Silicon
BC618RL1	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
BC618RL1G	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors NPN Silicon
BC618RLRA	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC618RLRA	ONSEMI	获取价格	1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
BC618RLRB	MOTOROLA	获取价格	1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC618RLRE	ONSEMI	获取价格	1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
BC618RLRF	MOTOROLA	获取价格	1000mA, 55V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC618RLRM	MOTOROLA	获取价格	暂无描述

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