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BC393

更新时间: 2024-09-16 22:39:27
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 放大器高压
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER

BC393 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:43 weeks 2 days风险等级:5.35
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:180 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

BC393 数据手册

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BC393  
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER  
DESCRIPTION  
The BC393 is a silicon planar epitaxial PNP transis-  
tor inJedec TO-18metal case, designed forgeneral  
purpose high-voltage and video amplifier applica-  
tions.  
The complementary NPN type is the BC394.  
TO-18  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-base Voltage (IE = 0)  
Value  
– 180  
– 180  
– 6  
Unit  
V
Collector-emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
– 100  
mA  
Pto t  
Total Power Dissipation at Tamb 25 °C  
at Tcase 25 °C  
0.4  
1.4  
W
W
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
– 55 to 200  
200  
°C  
°C  
January 1989  
1/5  

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