BC337-AP

更新时间： 2024-11-04 12:52:15

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	269K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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BC337-AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.625 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	210 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BC337-AP 数据手册

M C C

BC337-16/25/40

BC338-16/25/40

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

NPN

Plastic-Encapsulate

Transistors

xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.

xꢀ Collector-current 0.8A

xꢀ Collector-base Voltage :V_CBO=50V(BC337) , V_CBO=30V(BC338)

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

Maximum Ratings

xꢀ Operating temperature : -55к to +150к

xꢀ Storage temperature : -55к to +150к

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=0)

---

Vdc

BC337

BC338

V_(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

---

Vdc

BC337

BC338

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=10µAdc, I_C=0)

5.0

Vdc

Collector Cutoff Current

(V_CB=45Vdc,I_E=0)

(V_CB=25Vdc,I_E=0)

µAdc

BC337

BC338

---

0.1

I_CEO

Collector Cutoff Current

(V_CE=40Vdc,I_B=0)

(V_CE=20Vdc,I_B=0)

µAdc

BC337

BC338

---

0.2

0.1

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

DC Current Gain

(I_C=300mAdc, V_CE=1.0Vdc)

---

0.7

1.2

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc,I_B=50mAdc)

---

DIMENSIONS

INCHES

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

DIM

MIN

.175

.500

.016

.135

.095

.173

MAX

.185

---

.020

.145

.105

.220

MIN

4.45

12.70

0.41

3.43

2.42

4.40

MAX

4.70

---

0.63

3.68

2.67

5.60

NOTE

f_T

Current-Gain-Bandwidth Product

(V_CE=5.0V, f=100MHz, I_C=10mA)

210

---

MHz

hFE CLASSIFICATION

Classification

100~250

160~400

250~630

C 011

Straight Lead

Bent Lead

_FE(2)(I_C=100mAdc, V_CE=1.0Vdc)

Marking Code

A 011

B 011

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: D

2013/01/01

12 3

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与BC337-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC337-AP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC337AT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
BC337BD	ZETEX	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,CHIP / DIE
BC337BDA	ZETEX	获取价格	Transistor
BC337BDB	ZETEX	获取价格	Transistor
BC337BDC	ZETEX	获取价格	Transistor
BC337BDWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH
BC337-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC337-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC337BW	ZETEX	获取价格	Transistor

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