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BC337G

更新时间: 2024-11-04 04:08:55
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Amplifier Transistors NPN Silicon

BC337G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.09最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):210 MHzBase Number Matches:1

BC337G 数据手册

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BC337G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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BC33725BU ONSEMI

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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Small Signal Bipolar Transistor,
BC337G-25-T92-R UTC

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BC337G-X-T92-K UTC

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SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC337G-X-T92-R UTC

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SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC337G-XX-T92-B UTC

获取价格

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION