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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC327-16-BP-HF
BC327-16-BP-HF PDF预览

BC327-16-BP-HF

更新时间： 2024-11-25 12:58:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 381K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BC327-16-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BC327-16-BP-HF 数据手册

 浏览型号BC327-16-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC327-16-BP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
BC327-16/25/40  
BC328-16/25/40  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.  
xꢀ Collector-current : -0.8A  
xꢀ Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328)  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
xꢀ Operating temperature : -55к to +150к  
xꢀ Storage temperature : -55к to +150к  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
BC327  
BC328  
---  
Vdc  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
-45  
-25  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100µAdc, IE=0) BC327  
BC328  
---  
---  
Vdc  
-50  
-30  
-5.0  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
Vdc  
C
Collector Cutoff Current  
µAdc  
(VCB=-45Vdc,IE=0)  
(VCB=-25Vdc,IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-40Vdc,IB=0)  
(VCE=-20Vdc,IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-4.0Vdc, IC=0)  
BC327  
BC328  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
ICEO  
µAdc  
µAdc  
BC327  
BC328  
---  
---  
---  
-0.2  
-0.2  
-0.1  
IEBO  
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
DC Current Gain  
(IC=-100mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-300mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
100  
630  
---  
40  
---  
---  
---  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
-0.7  
Vdc  
C
B
E
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc,IB=-50mAdc)  
---  
-1.2  
---  
Vdc  
G
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
(VCE=5.0V, f=100MHz, IC=10mA)  
260  
MHz  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
hFE(1)  
16  
25  
40  
100~250  
A 011  
160~400  
B 011  
250~630  
E
G
Marking Code  
C 011  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BC327-16-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC32716BU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO92, JEDEC TO-92 COMPLIANT STRAIGHT LEAD CONFIGURA
BC32716BU ONSEMI

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 		PNP 双极晶体管
BC327-16-BULK VISHAY

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BC327-16D26Z FAIRCHILD

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