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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC327-16RLRM
BC327-16RLRM PDF预览

BC327-16RLRM

更新时间： 2024-02-15 19:01:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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BC327-16RLRM 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BC327-16RLRM 数据手册

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by BC327/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC327 BC328  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–45  
–50  
–25  
–30  
Vdc  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–800  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
BC327  
BC328  
–45  
–25  
—
—
—
—
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 µA, I = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
BC327  
BC328  
–50  
–30  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A, I = 0)  
V
–5.0  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 V, I = 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
E
= –20 V, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –45 V, V  
= –25 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = –4.0 V, I = 0)  
I
—
—
–100  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996
1234

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与BC327-16RLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC327-16T/R DIOTEC

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 		PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC327-16-T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC32716TA FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
BC32716TA ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
BC327-16-TAP VISHAY

获取价格

 		Transistor
BC32716TAR ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC32716TAR FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC32716TF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC32716TFR FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC327-16ZL1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92

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