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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC327-16(BOX) | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BC327-16,112 | NXP |
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BC327-16 |
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| BC327-16,126 | NXP |
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BC327-16 |
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| BC327-16/E6 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA |
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| BC327-16/E7 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA |
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| BC327-16_11 | MCC |
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PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
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| BC327-16{AMMOPAK} | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BC327-16{BOX} | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BC327-16-A | MCC |
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Transistor |
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| BC327-16A/B | DIOTEC |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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