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BC327-16_11

更新时间： 2024-09-24 08:49:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 381K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC327-16_11 数据手册

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BC327-16/25/40  
BC328-16/25/40  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.  
xꢀ Collector-current : -0.8A  
xꢀ Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328)  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
xꢀ Operating temperature : -55к to +150к  
xꢀ Storage temperature : -55к to +150к  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
BC327  
BC328  
---  
Vdc  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
-45  
-25  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100µAdc, IE=0) BC327  
BC328  
---  
---  
Vdc  
-50  
-30  
-5.0  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
Vdc  
C
Collector Cutoff Current  
µAdc  
(VCB=-45Vdc,IE=0)  
(VCB=-25Vdc,IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-40Vdc,IB=0)  
(VCE=-20Vdc,IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-4.0Vdc, IC=0)  
BC327  
BC328  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
ICEO  
µAdc  
µAdc  
BC327  
BC328  
---  
---  
---  
-0.2  
-0.2  
-0.1  
IEBO  
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
DC Current Gain  
(IC=-100mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-300mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
100  
630  
---  
40  
---  
---  
---  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
-0.7  
Vdc  
C
B
E
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc,IB=-50mAdc)  
---  
-1.2  
---  
Vdc  
G
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
(VCE=5.0V, f=100MHz, IC=10mA)  
260  
MHz  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
hFE(1)  
16  
25  
40  
100~250  
A 011  
160~400  
B 011  
250~630  
E
G
Marking Code  
C 011  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC327-16{AMMOPAK} DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC327-16{BOX} DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC327-16-A MCC

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 		Transistor
BC327-16A/B DIOTEC

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 		PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC327-16-AMMO NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC327-16-AP MCC

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BC327-16B DIOTEC

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BC327-16BK DIOTEC

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BC327-16-BP MCC

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