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BC309BBU

更新时间： 2024-01-08 09:09:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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BC309BBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.67
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

BC309BBU 数据手册

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Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -2mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC307  
: BC308/309  
-45  
-25  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -10µA, V =0  
C BE  
: BC307  
: BC308/309  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -10µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC307  
CES  
V
V
= -45V, V =0  
= -25V, V = 0  
BE  
-2  
-2  
-15  
-15  
nA  
nA  
CE  
CE  
BE  
: BC308/309  
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -2mA  
120  
8 0 0  
-0.3  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
-0.5  
C
B
(sat)  
(on)  
Collector-Base Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-0.7  
-0.85  
V
V
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
= -5V, I = -2mA  
-0.55  
-0.62  
130  
-0.7  
6
V
MHz  
pF  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
f
V
V
V
= -5V, I = -10mA, f=50MHz  
C
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
ib  
Input Capacitance  
= -0.5V, I =0, f=1MHz  
12  
pF  
C
NF  
Noise Figure  
: BC307/308  
: BC309  
V
= -5V, I = -0.2mA,  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
CE  
C
R =2KΩ, f=1KHz  
G
: BC309  
V
= -5V, I = -0.2mA  
2
CE  
C
R =2KΩ, f=30~15KHz  
G
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
120 ~ 220  
180 ~ 460  
380 ~ 800  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
12345

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BC309BBU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC309BTA FAIRCHILD

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