BC309BTA

更新时间： 2024-02-21 05:53:06

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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BC309BTA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BC309BTA 数据手册

BC307/308/309

Switching and Amplifier Applications

•

Low Noise: BC309

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC307

: BC308/309

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

: BC307

: BC308/309

-45

-25

Emitter-Base Voltage

-5

-100

EBO

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Rev. A2, August 2002

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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