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BC309BTA

更新时间: 2024-11-26 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

BC309BTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.67
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):180JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

BC309BTA 数据手册

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BC307/308/309  
Switching and Amplifier Applications  
Low Noise: BC309  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC307  
: BC308/309  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
-50  
-30  
V
V
CEO  
: BC307  
: BC308/309  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-100  
V
EBO  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
500  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  

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