是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-92 | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.65 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 120 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 130 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC308TAR | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | |
BC308VI | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, | |
BC309 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) | |
BC309 | MICRO-ELECTRONICS |
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | |
BC309 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | |
BC309 | FAIRCHILD |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
BC309 | CJ |
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TO-92 | |
BC309 | LGE |
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双极型晶体管 | |
BC309/D10Z | TI |
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100mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | |
BC309/D11Z | TI |
获取价格 |
100mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |