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BC309

更新时间: 2024-11-25 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 44K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC309 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.61其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):130 MHz

BC309 数据手册

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BC307/308/309  
Switching and Amplifier Applications  
Low Noise: BC309  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC307  
: BC308/309  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
-50  
-30  
V
V
CEO  
: BC307  
: BC308/309  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-100  
V
EBO  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
500  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  

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