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BC309ATA

更新时间： 2024-01-25 18:37:16

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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技术参数
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BC309ATA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

BC309ATA 数据手册

BC307/308/309

Switching and Amplifier Applications

•

Low Noise: BC309

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC307

: BC308/309

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

: BC307

: BC308/309

-45

-25

Emitter-Base Voltage

-5

-100

EBO

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Rev. A2, August 2002

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC309B	MICRO-ELECTRONICS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,	获取价格
BC309B	MOTOROLA	Amplifier Transistors(PNP)	获取价格
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BC309B/D10Z	TI	20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
BC309B/D28Z	TI	20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
BC309B/D81Z	TI	20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格