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| MICRO-ELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 83K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC309 | KEC | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) |
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| BC309 | MICRO-ELECTRONICS | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| BC309 | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| BC309 | FAIRCHILD | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| BC309 | CJ | TO-92 |
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| BC309 | LGE | 双极型晶体管 |
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