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BC184 PDF预览

BC184

更新时间： 2024-01-06 02:23:12
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 221K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

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BC184 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.41最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

BC184 数据手册

 浏览型号BC184的Datasheet PDF文件第2页 
BC184  
0.1 A, 45 V  
NPN Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
The BC184 is complementary silicon planar epitaxial transistors  
for use in AF small signal amplifiers and drivers, as well as for  
low noise pre-amplifiers applications. Both types feature good  
linearity of DC current gain.  
G
H
J
B
Millimeter  
REF.  
A
D
Min.  
Max.  
4.70  
4.70  
-
A
B
C
D
E
F
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Collector  
1
K
3.81  
0.56  
0.51  
E
C
F
G
H
J
1.27 TYP.  
2
1.10  
2.42  
0.36  
-
Base  
2.66  
0.76  
K
3
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
UNIT  
V
45  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
VCEO  
30  
V
VEBO  
6
0.1  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
IC  
A
PC  
350  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
SYMBOL MIN  
TYP  
MAX UNIT  
TEST CONDITION  
IC=10µA, IE = 0A  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
45  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
V
30  
-
V
IC=2mA, IB = 0A  
6
-
V
IE=0.1mA, IC = 0A  
VCB=30 V, IE = 0 A  
VCE=30 V, IB = 0 A  
VEB=4 V, IC =0 mA  
VCE=5V, IC=2mA  
-
15  
0.1  
15  
900  
0.6  
1.2  
5
nA  
µA  
nA  
ICEO  
-
IEBO  
-
DC Current Gain  
hFE  
240  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Cob  
-
V
V
IC=0.1A, IB=5mA  
-
IC=0.1A, IB=5mA  
Collector Output Capacitance  
Input Capacitance  
-
pF  
pF  
VCB = 10V, IC = 0 A, f=1MHz  
VBE = 0.5V, IC = 0 A, f=1MHz  
Cib  
-
150  
-
-
Transition Frequency  
fT  
-
MHz VCE = 5V, IC = 10mA, f=100MHz  
Noise Figure  
NF  
4
dB  
VCE =5V, IC = 0.2mA, f=1KHz, RS=2W  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
BC184B  
240-500  
BC184C  
450-900  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
5-Mar-2010 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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