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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC184C
BC184C PDF预览

BC184C

更新时间： 2024-11-25 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Silicon NPN Small Signal Transistor

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BC184C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.53
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BC184C 数据手册

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BC184C  
Silicon NPN Small Signal Transistor (Note 1)  
•
•
BV  
= 30V (Min.)  
= 130 (Min.) @V = 5.0V, I = 100mA  
CE C  
CEO  
h
FE  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
V
V
CBO  
30  
CEO  
EBO  
5
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C) (Note 2, 3)  
350  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
45  
30  
5
Typ.  
Max. Units  
BV  
I
I
I
= 10µA  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 2mA  
= 10µA  
I
I
V
V
= 30V  
= 4V  
15  
15  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
h
V
V
V
= 5V, I = 10µA  
100  
250  
130  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2mA  
800  
C
= 5V, I = 100mA  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.6  
0.25  
V
CE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
= 100mA, I = 5mA  
1.2  
0.7  
5
V
V
BE  
C
B
V
V
V
= 5V, I = 2mA  
0.55  
BE  
CE  
CE  
CE  
C
COB  
= 10V, f = 1MHz  
pF  
f
Current gain Bandwidth Product  
= 5V, I = 10mA  
150  
240  
MHz  
T
C
f = 100MHz  
h
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
V
= 5V, I = 2mA  
900  
FE  
CE  
C
f = 1KHz  
NF  
V
= 5V, I = 200mA  
4
4
dB  
CE  
C
RG = 2KΩ, f = 30Hz ~ 15KHz  
= 5V, I = 200µA,  
V
CE  
C
f = 1KHz  
Notes:  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2002  
123

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BC184C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC184C-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC184CBULK CDIL

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 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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