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BBY58-03W

更新时间： 2024-11-13 22:10:19

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	17K
描述
Silicon Tuning Diode (Excellent linearity High Q hyperabrupt tuning diode Low series inductance)

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BBY58-03W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.18
其他特性：	LOW INDUCTANCE	最小击穿电压：	10 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	4.89%
最小二极管电容比：	1.15	标称二极管电容：	18.3 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

BBY58-03W 数据手册

BBY 58-03W

Silicon Tuning Diode

Preliminary data

• Excellent linearity

• High Q hyperabrupt tuning diode

• Low series inductance

• Designed for low tuning voltage operation

for VCO’s in mobile communications equipment

• For low frequency control elements

such as TCXOs and VCXOs

VPS05176

• Very low capacitance spread

Type

Marking

Ordering Code

Pin Configuration Package

BBY 58-03W

8 cathd.yellow

Q62702-B912

1 = C

2 = A

SOD-323

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

°C

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ...+150

stg

Semiconductor Group

Au -03-1998

1998-11-01

12 3

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