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BB135/T3

更新时间: 2024-10-17 20:05:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 54K
描述
DIODE UHF BAND, 19.25 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, SMD, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

BB135/T3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.14最小击穿电压:30 V
配置:SINGLE最小二极管电容比:8.9
标称二极管电容:19.25 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.01 µA
反向测试电压:30 V表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BB135/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
lfpage  
BB135  
UHF variable capacitance diode  
Product specification  
2004 Mar 01  
Supersedes data of 1998 Sep 15  

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