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BAV70SE6433

更新时间： 2024-09-25 21:21:15

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英飞凌 - INFINEON		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	148K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon

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BAV70SE6433 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	配置：	2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.715 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向电流：	50 µA	最大反向恢复时间：	0.006 µs
反向测试电压：	70 V	子类别：	Signal Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAV70SE6433 数据手册

BAV70...

Silicon Switching Diode

• For high-speed switching applications

• Common cathode configuration

• BAV70S / U: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAV70

BAV70W

BAV70S

BAV70U

Type

Package

SOT23

SOT363

SC74

Configuration

Marking

A4s

BAV70

common cathode

BAV70S

double common cathode

common cathode

A4s

BAV70U

BAV70W

A4s

SOT323

A4s

Pb-containing package may be available upon special request

2007-09-19

12 3 4 5 6 7...12

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