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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV21T26R | TI |
获取价格 |
0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| BAV21T50A | TI |
获取价格 |
0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| BAV21-T50A | ONSEMI |
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高压通用型二极管 |
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| BAV21T50R | TI |
获取价格 |
0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| BAV21T50R | FAIRCHILD |
获取价格 |
DIODE 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, D2, 2 PIN, Signal Diode |
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| BAV21-T50R | ONSEMI |
获取价格 |
高压通用型二极管 |
|
| BAV21-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
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| BAV21TR | ROCHESTER |
获取价格 |
0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAV21TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| BAV21TR | ONSEMI |
获取价格 |
高压通用型二极管 |
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