生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.58 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.25 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 4 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 0.1 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV21T50A | TI |
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0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | |
BAV21-T50A | ONSEMI |
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高压通用型二极管 | |
BAV21T50R | TI |
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0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | |
BAV21T50R | FAIRCHILD |
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DIODE 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, D2, 2 PIN, Signal Diode | |
BAV21-T50R | ONSEMI |
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高压通用型二极管 | |
BAV21-TAP | VISHAY |
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Small Signal Switching Diodes, High Voltage | |
BAV21TR | ROCHESTER |
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0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | |
BAV21TR | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
BAV21TR | ONSEMI |
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高压通用型二极管 | |
BAV21-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diodes, High Voltage |