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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV19W-TP
BAV19W-TP PDF预览

BAV19W-TP

更新时间： 2024-11-18 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 信号二极管
页数 文件大小 规格书
4页 271K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BAV19W-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：0.57Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.41 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAV19W-TP 数据手册

 浏览型号BAV19W-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV19W-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAV19W-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
BAV19  
THRU  
BAV21  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
500mW  
Small Signal  
Diodes  
•
•
•
•
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
For General Purpose  
This diode is also available in other case.  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
120 to 250 Volts  
Mechanical Data  
•
•
•
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Marking : Cathode band and type number  
Moisture Sensitivity Level 1  
DO-35 GLASS  
•
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
Continuous Reverse Voltage  
BAV19  
BAV20  
BAV21  
100  
150  
200  
120  
200  
250  
250  
200  
625  
VR  
V
D
Repetitive Peak Reverse Voltage BAV19  
VRRM  
IF  
BAV20  
BAV21  
V
Forward DC Current at Tamb=25OC  
mA  
mA  
mA  
(1)  
A
Rectified Current (Average) Half Wave  
Rectification with Resist. Load at  
Cathode  
Mark  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
(1)  
Tamb=25OC  
B
Repetitive Peak Forward Current at  
(1)  
f>50Hz, Tamb=25OC  
D
Surge Forward Current at t<1s, Tj=25OC  
1.0  
500  
A
P
TJ  
TSTG  
Power Dissipation at Tamb=25OC  
mW  
OC  
(2)  
tot  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
C
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VF  
Parameter  
Forward Voltage  
Min  
---  
---  
Typ Max Units  
(IF=100mA)  
(IF=200mA)  
---  
---  
1.00  
1.25  
V
IR  
Leakage Current  
(VR=100V)  
BAV19  
BAV19  
BAV20  
BAV20  
BAV21  
BAV21  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
100  
15  
100  
15  
100  
15  
nA  
uA  
nA  
uA  
nA  
uA  
(VR=100V, Tj=100OC)  
(VR=150V)  
DIMENSIONS  
(VR=150V, Tj=100OC)  
(VR=200V)  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
2.00  
.52  
NOTE  
(VR=200V, Tj=100OC)  
---  
---  
rf  
Dynamic Forward Resistance  
---  
---  
5.0  
1.5  
---  
---  
OHM  
pF  
---  
(I =10mA)  
F
1.000  
25.40  
---  
C
tot  
Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
Reverse Recovery Time  
trr  
(I =30mA, IR=30mA)  
F
---  
---  
50  
ns  
(Irr=3.0mA, R =100OHMS)  
L
Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.  
.
2. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8mm  
from case.  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
1234

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