是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.14 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向恢复时间: | 0.075 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV20,113 | NXP |
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BAV20; BAV21 - General purpose diodes AXIAL 2-Pin | |
BAV20,133 | NXP |
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BAV20; BAV21 - General purpose diodes AXIAL 2-Pin | |
BAV20,143 | NXP |
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BAV20; BAV21 - General purpose diodes AXIAL 2-Pin | |
BAV20.TR | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
BAV20.TR | TI |
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0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | |
BAV20.TR | BL Galaxy Electrical |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
BAV20/A52A | NXP |
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DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN, S | |
BAV20/A52R | NXP |
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DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN, S | |
BAV20/D8 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN | |
BAV20/F2 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN |