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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAT54XV2T5H
BAT54XV2T5H PDF预览

BAT54XV2T5H

更新时间： 2024-02-14 21:39:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 96K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon

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BAT54XV2T5H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAT54XV2T5H 数据手册

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BAT54XV2T1G  
Schottky Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
• Extremely Fast Switching Speed  
30 VOLT  
SILICON HOT−CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
• Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mA  
F
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
1
2
CATHODE  
ANODE  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
2
SOD−523  
CASE 502  
PLASTIC  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Reverse Voltage  
V
R
30  
V
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
200  
mW  
D
(Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
200 Max  
600  
mW/°C  
mA  
JVM G  
G
1
Forward Current (DC)  
I
F
Non−Repetitive Peak Forward  
I
mA  
FSM  
JV  
M
= Device Code  
= Date Code*  
Current, t < 10 msec  
p
Repetitive Peak Forward Current  
I
300  
635  
mA  
°C/W  
°C  
FRM  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%  
Thermal Resistance,  
R
ꢀ
JA  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to 125  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 Minimum Pad.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54XV2T1G  
SOD−523  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
BAT54XV2T5G  
SBAT54XV2T1G  
SOD−523  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
SOD−523  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
February, 2013 − Rev. 8  
BAT54XV2T1/D  
 
1234

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