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BAT60B

更新时间： 2024-01-30 21:58:54

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	213K
描述
Schottky Barrier Diode

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BAT60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.23
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.24 V
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	1.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAT60B 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Schottky Barrier Diode

BAT60B

FEATURES

Lead-free

Low voltage,Low inductance.

High current rectifier schottky diode.

For power supply.

For detection and step-up-conversion.

APPLICATIONS

Schottky barrier detector.

SOD-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

BAT60B

Marking

Package Code

SOD-323

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

Peak reverse voltage

DC Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Forward Surge Current

Total Power Dissipation

Junction temperature

I_O

I_FSM

P_tot

1350

150

-55-150

℃

T_j

Storage temperature range

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Conditions

I_F=10mA

Min.

Typ.

Max.

0.3

Unit

I_F=100mA

0.38

0.5

Forward voltage

V_F

I_F=500mA

I_F=1000mA

0.6

V_R=5v

Reverse current

I_R

μA

V_R=8v

Capacitance between terminals C_T

V_R=5v,f=1MHz

Document number: BL/SSSKB016

Rev.A

www.galaxycn.com

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