BAT60

更新时间： 2024-01-23 16:18:18

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管肖特基二极管通信
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3页	28K
描述
Silicon Schottky Diode (Rectifier Schottky diode for mobile communication Low voltage high inductane For power supply

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BAT60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.23
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.24 V
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	1.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAT60 数据手册

BAT 60B

Silicon Schottky Diode

• Rectifier Schottky diode for mobile communication

• Low voltage high inductane

• For power supply

• For clamping and proptection in low voltage

application

VPS05176

• For detection and step-up-conversion

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Ordering Code

Pin Configuration

Package

BAT 60B

blue/5

Q62702-A1189

1 = C

2 = A

SOD-323

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

°C

Surge forward current (t< 100µs)

FSM

1350

Total power dissipation, T = 28 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 55 ...+150

stg

Maximum Ratings

Junction - ambient

K/W

≤ 160

≤ 90

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm Cu

Semiconductor Group

Sep-04-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3

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