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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.55 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY; FREE WHEELING DIODE | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.005 µs | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT54AWQ-7-F | DIODES |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT54AWT | MCC |
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200mWatt, 30Volt Schottky Barrier Diode |
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| BAT54AWT | YANGJIE |
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暂无描述 |
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| BAT54AWT/R | NXP |
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0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| BAT54AWT1 | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AW-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT54AWT1/D | ETC |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AWT1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes |
|
| BAT54AW-T1-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P |
|
| BAT54AWT3 | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes |
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