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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 6.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.24 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.005 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT54AWT/R | NXP |
获取价格 |
0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| BAT54AWT1 | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AW-T1 | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT54AWT1/D | ETC |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AW-T1-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P |
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| BAT54AWT3 | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes |
|
| BAT54AW-T3 | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| BAT54AWT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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| BAT54AWTHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn; |
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