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BAT54AWT1G PDF预览

BAT54AWT1G

更新时间： 2024-01-08 00:13:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Schottky Barrier Diodes

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BAT54AWT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAT54AWT1G 数据手册

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BAT54AWT1  
Preferred Device  
Schottky Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand held and portable applications where  
space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
30 VOLTS  
SCHOTTKY BARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
• Extremely Fast Switching Speed  
• Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mAdc  
• Pb−Free Package is Available  
F
CATHODE  
ANODE  
1
3
2
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
CATHODE  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Power Dissipation  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
MARKING  
DIAGRAM  
P
F
200  
1.6  
mW  
mW/°C  
@ T = 25°C  
A
3
3
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
SOT−323  
CASE 419  
I
F
200 Max  
125 Max  
mA  
°C  
B7....D  
1
T
J
2
1
2
T
stg  
−55 to +150  
°C  
B7  
D
= Specific Device Code  
= Date Code  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54AWT1  
SOT−323  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
BAT54AWT1G SOT−323  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
May, 2004 − Rev. 0  
BAT54AWT1/D  
1234

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BAT54AWT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAT54AWT1 ONSEMI

完全替代

 Schottky Barrier Diodes
BAT54AWT/R NXP

类似代替

 0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
BAT54AWT3G ONSEMI

类似代替

 Schottky Barrier Diodes

与BAT54AWT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAT54AW-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P
BAT54AWT3 ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes
BAT54AW-T3 WTE

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54AWT3G ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes
BAT54AWTHE3 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BAT54AWTHQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
BAT54AWTP MCC

获取价格

 		暂无描述
BAT54AWTQ YANGJIE

获取价格

 		Small Signal Schottky Rectifier
BAT54AWTR ETC

获取价格

 		DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT323
BAT54AWT-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,

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