BAT54ALT1

更新时间： 2024-11-17 22:05:39

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		整流二极管开关
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
30 VOLTS SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT54ALT1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAT54ALT1 数据手册

Order this document

by BAT54ALT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,

circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces

conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and

portable applications where space is limited.

Motorola Preferred Device

•

Extremely Fast Switching Speed

Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc

30 VOLTS

SCHOTTKY BARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

CATHODE

ANODE

CATHODE

CASE 318–08, STYLE 12

SOT–23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

Volts

Forward Power Dissipation

@ T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current (DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

DEVICE MARKING

BAT54ALT1 = B6

200 Max

125 Max

°C

stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

(BR)R

Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)

7.6

0.5

Reverse Leakage (V = 25 V)

—

2.0

0.24

0.5

1.0

5.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)

—

0.22

0.41

0.52

—

Forward Voltage (I = 30 mAdc)

Forward Voltage (I = 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc, I

= 1.0 mAdc) Figure 1

R(REC)

Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

Forward Voltage (I = 10 mAdc)

Forward Current (DC)

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

—

FRM

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

—

FSM

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.

REV 3

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

5–1

Motorola, Inc. 1997

12 3 4

中文翻译

下载PDF

BAT54ALT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAT54C	DIOTEC	功能相似	Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes

与BAT54ALT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54ALT1/D	ETC	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54ALT1D	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54ALT1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54ALT1G_10	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54ALT3	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54ALT3G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAT54AM	BL Galaxy Electrical	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier diode
BAT54A-M0RF	TSC	获取价格	230mW SMD Schottky Barrier Diode
BAT54A-M0RFG	TSC	获取价格	230mW SMD Schottky Barrier Diode
BAT54AN3	CYSTEKEC	获取价格	Small Signal Schottky (double) diodes

与BAT54ALT1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54ALT1

BAT54ALT1 技术参数

BAT54ALT1 数据手册

BAT54ALT1 替代型号

与BAT54ALT1相关器件

与BAT54ALT1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54ALT1

BAT54ALT1 技术参数

BAT54ALT1 数据手册

BAT54ALT1 替代型号

与BAT54ALT1相关器件

与BAT54ALT1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？