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BAS716

更新时间: 2024-02-20 23:57:25
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Low-leakage diode

BAS716 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.225 W
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

BAS716 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAS716  
Low-leakage diode  
Product specification  
2003 Nov 07  

与BAS716相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BAS716,115 ETC DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523

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BAS716_12 NXP Low-leakage diode

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