是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.7 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.225 W |
最大重复峰值反向电压: | 75 V | 最大反向恢复时间: | 3 µs |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BAS716,115 | ETC | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 |
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BAS716_12 | NXP | Low-leakage diode |
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BAS716F | ETC | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 |
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BAS716HE3 | MCC | Tape:8K/Reel; |
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BAS716Q | YANGJIE | SOD-523 |
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BAS716-TP-HF | MCC | Rectifier Diode, |
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