BAS78C

更新时间： 2024-01-05 03:21:03

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)

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BAS78C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.36
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	1 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAS78C 数据手册

Silicon Switching Diodes

BAS 78 A

… BAS 78 D

● Switching applications

● High breakdown voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BAS 78 A

BAS 78 B

BAS 78 C

BAS 78 D

BAS 78 A

BAS 78 B

BAS 78 C

BAS 78 D

Q62702-A910

Q62702-A911

Q62702-A912

Q62702-A913

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

BAS

78 D

BAS

78 A

BAS

78 B

BAS

78 C

Reverse voltage

100

200

400

Peak reverse voltage

VRM

Forward current

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

Total power dissipation, T^S= 124 ˚C²⁾

Junction temperature

1.2

Ptot

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 92

≤ 22

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3

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