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BAS79CE6433

更新时间: 2024-11-06 03:34:15
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, Silicon

BAS79CE6433 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.48外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:1.2 W
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:1 µs
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

BAS79CE6433 数据手册

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