5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.48 | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 1 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS79CE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, Silicon |
|
| BAS79CTA | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, Silicon |
|
| BAS79CTC | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, Silicon |
|
| BAS79D | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode) |
|
| BAS79DE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, Silicon |
|
| BAS79DE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, Silicon |
|
| BAS79DTA | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, Silicon |
|
| BAS79DTC | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, Silicon |
|
| BAS81 | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
|
| BAS81 | SUNMATE |
获取价格 |
Patch Schottky diode 40V SOD-80 series |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
