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BAS716F

更新时间： 2024-02-20 09:18:22

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9页	181K
描述
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523

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BAS716F 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	PLASTIC, SC-79, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.25 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAS716F 数据手册

BAS716

Low-leakage diode

2 October 2020

Product data sheet

1. General description

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in an ultra small SOD523

(SC-79) SMD plastic package.

2. Features and benefits

•

Plastic SMD package

•

Low leakage current: typ. 0.2 nA

Switching time: typ. 0.6 us

Continuous reverse voltage: max. 75 V

Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V

Repetitive peak forward current: max. 500 mA.

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low leakage current applications in surface mounted circuits.

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_F

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

200

Unit

forward current

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_j= 25 °C

V_RRM

repetitive peak reverse T_j= 25 °C

voltage

V_F

forward voltage

I_F= 50 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

0.92

1.1

T_j= 25 °C

I_R

t_rr

reverse current

V_R= 75 V; pulsed; T_j= 25 °C

0.2

0.6

µs

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 1 mA; T_j= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

cathode

Simplified outline

Graphic symbol

anode

aaa-032142

SC-79 (SOD523)

12 3 4 5 6 7...9

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