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BAS70H-04

更新时间： 2024-01-04 22:37:37
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
1页 64K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS70H-04 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.76二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 V最大非重复峰值正向电流：0.6 A
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.2 A
最大重复峰值反向电压：70 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
Base Number Matches：1

BAS70H-04 数据手册

  
BAS70H/ -04/ -05/ -06  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
-
DISCONTINUED  
Features  
·
·
·
Low Turn-on Voltage  
SERIES  
BAS70  
USE  
SOT-23  
Min  
Fast Switching  
Dim  
A
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.05  
0.61  
2.05  
3.05  
0.15  
1.10  
0.61  
0.178  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
A
0.37  
1.19  
2.10  
0.89  
0.45  
1.78  
2.65  
0.013  
0.89  
0.45  
0.076  
B
C
TOP VIEW  
B
C
D
Mechanical Data  
E
D
G
·
·
Case: SOT-23, Molded Plastic  
G
H
E
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
H
J
·
·
Polarity: See Diagrams  
M
K
K
Approx. Weight: 0.008 grams  
L
J
L
M
All Dimensions in mm  
BAS70H-06 Marking: K76  
BAS70H-04 Marking: K74  
BAS70H-05 Marking: K75  
BAS70H Marking: K73  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode@ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
BAS70  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IF  
IFSM  
Pd  
RMS Reverse Voltage  
49  
200  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ tp < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
mA  
mA  
mW  
K/W  
°C  
600  
200  
RqJA  
Tj  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range  
625  
-55 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Ratings  
Characteristic  
Symbol  
V(BR)R  
Min  
MaxUnit  
Test  
IR = 10mA  
Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
Forward Voltage  
70  
—
V
tp <300µs, IF = 1.0mA  
tp <300µs, IF = 15mA  
410  
1000  
VF  
—
mV  
IRM  
Cj  
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
Peak Reverse Current  
Junction Capacitance  
¾
¾
100  
2.0  
nA  
pF  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
RL =100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
—
5.0  
ns  
Notes:  
1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Test period <3000ms.  
DS30190 Rev. 4 - 4  
1 of 1  
BAS70H/-04/-05/-06  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS70H-04-7 DIODES

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