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BAS70JW

更新时间： 2024-09-30 22:50:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY

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BAS70JW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.91JESD-609代码：e0
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向电流：0.1 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：50 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BAS70JW 数据手册

  
BAS70JW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
A
SOT-363  
Min  
Dim  
A
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C
B
0.10  
Mechanical Data  
B
1.15  
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Orientation: See Diagram  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
Marking: K78  
C
2.00  
·
H
D
0.65 Nominal  
E
0.30  
1.80  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
·
·
·
K
J
M
G
H
L
D
F
J
K
0.90  
0.25  
0.10  
C2  
C1  
L
(Jumper  
connection  
between  
M
All Dimensions in mm  
middle pins)  
A1  
A2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
49  
70  
V
mA  
mA  
mW  
K/W  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
IFSM  
Pd  
100  
200  
625  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
-55 to +125  
-65 to +125  
Tj  
TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
tp <300µs, IF = 1.0mA  
410  
mV  
mV  
VFM  
Maximum Forward Voltage  
¾
1000  
tp <300µs, IF = 15mA  
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
IRM  
Cj  
Maximum Peak Reverse Current  
Junction Capacitance  
¾
¾
100  
2.0  
nA  
pF  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.  
DS30188 Rev. E-2  
1 of 1  
BAS70JW  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS70JW_08 DIODES

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
BAS70JW_1 DIODES

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
BAS70JW-13 DIODES

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BAS70JW-13-F DIODES

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