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BAS70L

更新时间: 2024-09-30 22:50:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
Schottky barrier diode

BAS70L 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:R-PBCC-N2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.54外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.41 V
JESD-30 代码:R-PBCC-N2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.07 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:70 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BAS70L 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAS70L  
Schottky barrier diode  
Product specification  
2003 May 20  

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