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BAS70JW-7 PDF预览

BAS70JW-7

更新时间： 2024-10-01 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

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BAS70JW-7 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.39
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAS70JW-7 数据手册

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BAS70JW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
"Green" Device (Note 4 and 5)  
•
•
Case: SOT-363  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
•
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe). Please see Ordering Information, Note 7, on Page 2  
•
•
•
•
Orientation: See Diagram  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
C2  
C1  
A1  
A2  
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
49  
70  
V
VR(RMS)  
IFM  
Forward Continuous Current (Note 1)  
mA  
mA  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t < 1.0s  
100  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Value  
200  
Unit  
mW  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
625  
°C/W  
°C  
°C  
Rθ  
TJ  
TSTG  
JA  
-55 to +125  
-65 to +125  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
70  
V(BR)R  
IR = 10μA  
V
⎯
tp <300µs, IF = 1.0mA  
tp <300µs, IF = 15mA  
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
410  
1000  
100  
2.0  
mV  
mV  
nA  
pF  
Forward Voltage  
VF  
⎯
Reverse Current (Note 2)  
Total Capacitance  
IR  
CT  
⎯
⎯
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω  
Reverse Recovery Time  
5.0  
ns  
trr  
⎯
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at  
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Product manufactured with Date Code UO (week 40, 2007) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to Date  
Code UO are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
1 of 3  
www.diodes.com  
June 2008  
© Diodes Incorporated  
BAS70JW  
Document number: DS30188 Rev. 13 - 2  
123

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