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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 125 V | 最大反向电流： | 0.001 µA |
| 最大反向恢复时间： | 1.5 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BAS45ALT/R | NXP | DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
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| BAS45AT/R | NXP | DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa |
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| BAS45L | NXP | 0.225A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| BAS46 | ETC | DIODE DETEKTOR UHF |
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| BAS48 | WINNERJOIN | Schottky Barrier Diode |
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| BAS48 | MCC | 350mA Schottky Barrier Rectifier 40 Volts |
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